FET 类型P 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.5V，4V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）1.43nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V

Vgs（最大值）±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）7.5pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds10V

功率耗散（最大值）150mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）10.4 欧姆 @ 50mA，4V

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装3-SSFP

封装/外壳SC-81

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs