RoHS符合 RoHS

150 mWPd - 功率消耗

安装风格SMD/SMT

封装/外壳MCPH-3

系列3LN01M

品牌ON Semiconductor

下降时间120 ns

最低工作温度- 55 C

上升时间65 ns

标准包装数量3000

标准断开延迟时间155 ns

晶体管极性N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压30 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压10 V

Id - C连续漏极电流150 mA

Rds On - 漏-源电阻2.9 0hms

配置Single

1.58 nCQg - 闸极充电

最高工作温度+ 150 C

FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）150mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.5V，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.3V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）1.58nC @ 10V

Vgs（最大值）±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）7pF @ 10V

功率耗散（最大值）150mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）3.7 欧姆 @ 80mA，4V

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装SC-70/MCPH3

封装/外壳SC-70，SOT-323

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs