不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）7.5pF @ 10V

功率耗散（最大值）250mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）10.4 欧姆 @ 50mA，4V

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

FET 类型P 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100mA（Ta）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）1.43nC @ 10V

漏源电压（Vdss）30V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.5V，4V

Vgs（最大值）±10V

供应商器件封装3-CP

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs