FET类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）2A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）10V

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）37.5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）380pF @ 30V

Vgs（最大值）±20V

功率耗散（最大值）2W（Ta），35W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）13 欧姆 @ 1A，10V

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

封装/外壳TO-220-3 整包

封装形式PackageTO-220F

极性PolarityN-CH

漏源极击穿电压VDSS1500V

连续漏极电流ID2A

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）37.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）380pF @ 30V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）13 欧姆 @ 1A，10V

FET 类型N 沟道

漏源极电压（Vdss）1500V（1.5KV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs