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2SK2925 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):16.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:73mΩ @ 6.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:N沟道
2SK2925的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)16.9A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻73mΩ @ 6.6A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.1W

类型N沟道

供应商2SK2925
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2SK2925SN-Channel Silicon MOSFET KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]的LOGO45.47 Kbytes共1页2SK2925S的PDF下载地址2SK3646-01L,2SK4171,EMH2412,ECH8664R,2SK4199LS,3LN04S,2SK3099LS,ECH8411,2SK2618ALS,CPH5863
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2SK2925的全球分销商及价格
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2SK2925VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):16.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:73mΩ @ 6.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:N沟道1+:¥1.0817
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