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2SK2869L-E / Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(2) Box
2SK2869L-E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

连续漏极电流:20 A

栅源电压(最大值):�20 V

功率耗散:30 W

安装:Through Hole

工作温度范围:-55C to 150C

包装类型:DPAK(L)-(2)

封装:Box

引脚数:3 +Tab

极性:N

类型:Power MOSFET

元件数:1

工作温度分类:Military

通道模式:Enhancement

漏源导通电压:60 V

弧度硬化:No

供应商2SK2869L-E
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2SK2869L-ESilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO95.34 Kbytes共9页2SK2869L-E的PDF下载地址RJK6014DPP,RJK6014DPK,HAT2092R,2SK2957,2SK2736,2SK2796,RJK4518DPK,RJK2009DPM,2SK2958,HAT1065T
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