FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）58nC @ 10V
Vgs（最大值）±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2040pF @ 25V
功率耗散（最大值）85W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）1.4 欧姆 @ 4A，10V
工作温度150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-3P（N）IS
封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs