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2SK2715 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1Ω @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道
2SK2715的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.5A(Tc)

栅源极阈值电压5V @ 250uA

漏源导通电阻2.1Ω @ 3.1A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）60W(Tc)

类型N沟道

供应商2SK2715
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现代芯城（深圳）科技有限公司2SK2715www.nowchip.com0755-27381274
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2SK2715Switching (500V, 2A) ROHM[Rohm]ROHM[Rohm]的LOGO138.71 Kbytes共4页2SK2715的PDF下载地址RFV10N50BE,2SK2793,BCR169S,STD2NC50,BCR198S,STP20NM50FD,BCR571,STW15NB50,BFN25,FDH15N50
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2SK2715TLMOSFET N-CH 500V 2A CPT3Rohm SemiconductorRohm Semiconductor的LOGO148.75 Kbytes共5页2SK2715TL的PDF下载地址无
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Digi-Key 得捷电子		2SK2715TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 500V 2A CPT3Obsolete
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Mouser 贸泽电子		2SK2715TLROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品价格未公开
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立创商城		2SK2715VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1Ω @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道1+:￥1.7575
10+:￥1.2987
30+:￥1.2144
100+:￥1.01709
500+:￥0.98343
1000+:￥0.96678
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