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2SK2615 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.7A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道
2SK2615的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)8.7A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻88mΩ @ 4.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W

类型N沟道

供应商2SK2615
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现代芯城(深圳)科技有限公司2SK2615www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司2SK2615深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司2SK2615-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市成源运利电子科技有限公司2SK2615深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳和润天下电子科技有限公司2SK2615深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司2SK2615航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司2SK2615深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2SK2615(TE12L.F)深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司2SK2615深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市骏凯诚科技有限公司2SK2615深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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2SK2615N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS) TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO257.05 Kbytes共5页2SK2615的PDF下载地址2SK2267,2SK2610,2SK2745,2SK2274,2SK2417,2SK2445,2SK2614,2SK2749,2SK2312,2SK2661
2SK2615Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO648.56 Kbytes共6页2SK2615的PDF下载地址2SK2545_06,2SK2549_06,2SK2601_06,2SK2606_06,2SK2611_06,2SK2173,2SK1359_06,2SK2507_06,2SJ512_06,2SK1381_04
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2SK2615(TE12L,F)MOSFET N-Ch FET RDS .23 Ohm IDSS 100uA VDS 60VToshibaToshiba的LOGO405.55 Kbytes共6页2SK2615(TE12L,F)的PDF下载地址
2SK2615_06Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO648.56 Kbytes共6页2SK2615_06的PDF下载地址2SK2545_06,2SK2549_06,2SK2601_06,2SK2606_06,2SK2611_06,2SK2173,2SK1359_06,2SK2507_06,2SJ512_06,2SK1381_04
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2SK2615的全球分销商及价格
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2SK2615(TE12L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1000+:¥2.4500+:¥12.34
1000+:¥11.5399
2500+:¥11.1
5000+:¥10.77
10000+:¥10.5910+:¥11.65
50+:¥8.28
100+:¥1.27
200+:¥1.25
500+:¥1.1799
1000+:¥1.1
2000+:¥1.1
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Digi-Key 得捷电子
2SK2615(TE12L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1000+:¥2.4
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2SK2615(TE12L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1000+:¥2.4500+:¥12.34
1000+:¥11.5399
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500+:¥1.1799
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2000+:¥1.11+:¥1
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Mouser 贸泽电子
2SK2615(TE12L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1000+:¥2.4500+:¥12.34
1000+:¥11.5399
2500+:¥11.1
5000+:¥10.77
10000+:¥10.59
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Mouser 贸泽电子
2SK2615(TE12L,F)ToshibaMOSFET N-Ch FET RDS .23 Ohm IDSS 100uA VDS 60V价格未公开
元器件资料网-RS_hk(欧时香港)的LOGO
RS_hk(欧时香港)
2SK2615(TE12L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1000+:¥2.4500+:¥12.34
1000+:¥11.5399
2500+:¥11.1
5000+:¥10.77
10000+:¥10.5910+:¥11.65
50+:¥8.28
100+:¥1.27
200+:¥1.25
500+:¥1.1799
1000+:¥1.1
2000+:¥1.11+:¥14.55
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2SK2615VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.7A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥0.9465
10+:¥0.6994
30+:¥0.6541
100+:¥0.6087
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