制造商:Shindengen

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:1 A

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Rds On-漏源导通电阻:14 Ohms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :30 V

Pd-功率耗散:10 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Case E-Pack-3

商标:Shindengen

通道模式:Enhancement

配置:Single