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2SK2462 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：127mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W 类型：N沟道
2SK2462的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）18A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻127mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）3.75W

类型N沟道

供应商2SK2462
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深圳市微碧半导体有限公司2SK2462-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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芯莱德电子（香港）有限公司2SK2462-VB深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司2SK2462(04)-AZ深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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2SK2462SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE NEC[NEC]NEC[NEC]的LOGO114.96 Kbytes共8页2SK2462的PDF下载地址2SK1123,2SK1491,2SK2361,2SK2479,2SK2724,2SK3204,2SK3358,UPA1703,UPA1726,2SK1492
2SK2462N-Channel 100-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO773.5 Kbytes共6页2SK2462的PDF下载地址无
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Digi-Key 得捷电子		2SK2462(04)-AZRenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER MOSFET$1.81000
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立创商城		2SK2462VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：127mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W 类型：N沟道1+:￥1.94
10+:￥1.43
30+:￥1.34
100+:￥1.125
500+:￥1.08
1000+:￥1.062
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