典型关断延迟时间75 ns

典型接通延迟时间15 ns

典型栅极电荷@Vgs24 nC V @ 10

典型输入电容值@Vds860 pF V @ 10

安装类型通孔

宽度5.5mm

封装类型TO-252

尺寸6.5 x 5.5 x 2.3mm

引脚数目3

最低工作温度-55 °C

最大功率耗散1000 mW

最大栅源电压±20 V

最大漏源电压60 V

最大漏源电阻值0.07

最大连续漏极电流10 A

最高工作温度+150 °C

每片芯片元件数目1

类别功率 MOSFET

通道模式增强

通道类型N

配置单

长度6.5mm

高度2.3mm