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2SK2399(TE16L1,NQ) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):230 毫欧 @ 2.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):500pF @ 10V

功率 - 最大值:20W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:PW-MOLD

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