数据列表：2SK208 -
标准包装：3,000
类别：分立半导体产品
家庭：JFET（结点场效应
系列：-
包装：带卷（TR）
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）：-
漏源极电压（Vdss）：-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：600µA @ 10V
漏极电流（Id） - 最大值：-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：400mV @ 100nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：8.2pF @ 10V
电阻 - RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SC-59
功率 - 最大值：100mW
其它名称：2SK208-O (TE85L,F)2SK208-O(TE85LF)TR2SK208-OTE85LF