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2SK2035(T5L,F,T) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
2SK2035(T5L,F,T)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12欧姆 @ 10mA,2.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8.5pF @ 3V

功率 - 最大值:100mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-75,SOT-416

供应商器件封装:SSM

其它名称:2SK2035(T5LFT)TR2SK2035T5LFT

供应商2SK2035(T5L,F,T)
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2SK2035(T5L,F,T)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥3.58
10+:¥2.5199
25+:¥2.08
100+:¥1.66
250+:¥1.2
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