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2SK2009TE85LF /MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V
2SK2009TE85LF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-346-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:200 mA

Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:2.5 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:200 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

系列:2SK2009

晶体管类型:1 N-Channel

类型:RF Small Signal MOSFET

宽度:1.5 mm

商标:Toshiba

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:0.12 us

典型接通延迟时间:0.06 us

单位重量:12 mg

供应商2SK2009TE85LF
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北京芯时代电子科技发展有限公司2SK2009TE85LF北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2SK2009TE85LF深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市赛美科科技有限公司2SK2009TE85LF广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
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深圳市雄创芯业电子科技有限公司2SK2009TE85LF深圳市龙岗区吉星花园7栋30613631670223徐小姐Email:13631670223@139.com询价
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”13725596657“17503034873
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Digi-Key 得捷电子
2SK2009TE85LFToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V1+:¥4.31
10+:¥3.65
25+:¥3.19
100+:¥2.74
250+:¥2.37
500+:¥2.0099
1000+:¥1.54
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Digi-Key 得捷电子
2SK2009TE85LFToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3$0.58000
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Mouser 贸泽电子
2SK2009TE85LFToshibaMOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V1:¥4.1471
10:¥3.0623
100:¥1.921
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
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Mouser 贸泽电子
2SK2009TE85LFToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V1+:¥4.31
10+:¥3.65
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250+:¥2.37
500+:¥2.0099
1000+:¥1.541+:¥3.42
10+:¥2.53
100+:¥1.59
1000+:¥1.41
3000+:¥1.3
9000+:¥1.19
24000+:¥1.17
45000+:¥1.14
99000+:¥1.1