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2SK1808-E / Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
2SK1808-E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

连续漏极电流:4 A

栅源电压(最大值):�30 V

功率耗散:35 W

安装:Through Hole

工作温度范围:-55C to 150C

引脚数:3 +Tab

极性:N

类型:Power MOSFET

元件数:1

工作温度分类:Military

通道模式:Enhancement

漏源导通电压:900 V

弧度硬化:No

包装类型:TO-220FM

供应商2SK1808-E
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2SK1808-ESilicon N Channel MOS FET RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO83.56 Kbytes共7页2SK1808-E的PDF下载地址RJK6014DPP,HAT2160H,RJK6014DPK,HAT2165N,HAT2092R,2SJ549,2SK1167,2SK1328,2SK1519,2SK1669
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