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2SK1808-E / Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM

2SK1808-E的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

连续漏极电流：4 A

栅源电压（最大值）：�30 V

功率耗散：35 W

安装：Through Hole

工作温度范围：-55C to 150C

引脚数：3 +Tab

极性：N

类型：Power MOSFET

元件数：1

工作温度分类：Military

通道模式：Enhancement

漏源导通电压：900 V

弧度硬化：No

包装类型：TO-220FM

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2SK1808-E及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
2SK1808-E	Silicon N Channel MOS FET	RENESAS[Renesas Technology Corp]		83.56 Kbytes	共7页		RJK6014DPP,HAT2160H,RJK6014DPK,HAT2165N,HAT2092R,2SJ549,2SK1167,2SK1328,2SK1519,2SK1669

2SK1808-E的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Chip1Stop	2SK1808-E	Renesas Electronics Corporation	Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM RoHS : Compliant	1 : $2.45 50 : $1.73 200 : $1.52

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