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2SK1590 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):250mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.3Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道
2SK1590的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)250mA

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻3.3Ω @ 200mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)300mW

类型N沟道

供应商2SK1590
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现代芯城(深圳)科技有限公司2SK1590www.nowchip.com0755-27381274
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2SK1590MOS Field Effect Transistor KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]的LOGO43.25 Kbytes共1页2SK1590的PDF下载地址TK15H50C,UPA2451C,KHB3D0N90P1,TPCF8001,TPCP8003-H,SSM3J16FS,SSM6K30FE,NP82N055CHE_07,2SK3794,2SK2159
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2SK1590VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):250mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.3Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道10+:¥0.268019
100+:¥0.198047
300+:¥0.185195
1000+:¥0.172343
5000+:¥0.166631
10000+:¥0.163808
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2SK1590SHIKUES(时科)连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道10+:¥0.217159
100+:¥0.160743
300+:¥0.150381
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