包装：4UPAK

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：60 V

最大连续漏极电流：0.5 A

RDS -于：1700@10V mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：3 ns

典型上升时间：8 ns

典型关闭延迟时间：18 ns

典型下降时间：14 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

连续漏极电流：0.5 A

栅源电压（最大值）：�20 V

功率耗散：1 W

漏源导通电阻：1.7 ohm

工作温度范围：-55C to 150C

包装类型：UPAK

封装：Tape and Reel

引脚数：3 +Tab

极性：N

类型：Power MOSFET

元件数：1

工作温度分类：Military

漏源导通电压：60 V

弧度硬化：No