数据列表：2SK122800L View all Specifications

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）：50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：50 欧姆 @ 10mA，2.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：4.5pF @ 5V

功率 - 最大值：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：迷你型3-G1

其它名称：2SK12282SK1228-ND2SK122800LTR2SK1228TR2SK1228TR-NDQ1153304