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2SJ377 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:61mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4W 类型:P沟道
2SJ377的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)30A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻61mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)4W

类型P沟道

供应商2SJ377
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2SJ377的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
2SJ377(TE16R1,NQ)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品2000+:¥4.93
6000+:¥4.74
10000+:¥4.57
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2SJ377(TE16R1,NQ)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品2000+:¥4.93
6000+:¥4.74
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2SJ377Toshiba America Electronic Components 5 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET5,334 : $0.2475
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2SJ377VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:61mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4W 类型:P沟道1+:¥1.3516
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30+:¥0.934
100+:¥0.8691
500+:¥0.8403
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