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2SJ352-E /Renesas Electronics America/分立半导体产品
2SJ352-E的规格信息
2SJ352-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:管件

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):-

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):800pF @ 10V

功率 - 最大值:100W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3

供应商器件封装:TO-3P

供应商2SJ352-E
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2SJ352-ESilicon P Channel MOS FET RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO70.87 Kbytes共6页2SJ352-E的PDF下载地址RJK6014DPP,HAT2160H,RJK6014DPK,HAT2165N,HAT2092R,2SJ549,2SK1167,2SK1328,2SK1519,2SK1669
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2SJ352-ERenesas Electronics CorporationTrans MOSFET P-CH 200V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
RoHS : Compliant
5 : $18.9
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2SJ352-ERENESAS ELECTRONICSFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥53.18
10+:¥48.14
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2SJ352-ERenesas Electronics CorporationTrans MOSFET P-CH 200V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube$7.925