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2SC5509-T2-A /
2SC5509-T2-A的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

晶体管类型NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）3.3V

频率 - 跃迁15GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）1.2dB @ 2GHz

增益14dB

功率 - 最大值190mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）50 @ 10mA，2V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）100mA

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳SOT-343F

供应商器件封装SOT-343

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商2SC5509-T2-A
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深圳市安富世纪电子有限公司2SC5509-T2-A深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
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2SC5509-T2-ANPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER, LOW-NOISE RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO231.72 Kbytes共10页2SC5509-T2-A的PDF下载地址无
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Avnet Express		2SC5509-T2-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILLATOR TRANSISTOR, ROHS COMPLI - Tape and Reel"nv_td">3,000 : $0.5737
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Digi-Key 得捷电子		2SC5509-T2-ARenesas Electronics America IncSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR$0.33000
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Digi-Key 得捷电子		2SC5509-T2-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)RF TRANSISTOR NPN SOT-343F6,000 : $0.6118
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