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2SC5508-T2-A /
2SC5508-T2-A的规格信息
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晶体管类型NPN

电压 - 集射极击穿(最大值)3.3V

频率 - 跃迁25GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)1.1dB @ 2GHz

增益17dB

功率 - 最大值115mW

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)50 @ 5mA,2V

电流 - 集电极(Ic)(最大值)35mA

工作温度150°C(TJ)

安装类型表面贴装

封装/外壳SOT-343F

供应商器件封装SOT-343F

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商2SC5508-T2-A
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现代芯城(深圳)科技有限公司2SC5508-T2-Awww.nowchip.com0755-27381274
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2SC5508-T2-ANPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO229.94 Kbytes共10页2SC5508-T2-A的PDF下载地址
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2SC5508-T2-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILLATOR TRANSISTOR, ROHS - Tape and Reel3,000 : $0.3981
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