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2SC5509-A /
2SC5509-A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型NPN

电压 - 集射极击穿(最大值)3.3V

频率 - 跃迁15GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)1.2dB @ 2GHz

增益14dB

功率 - 最大值190mW

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)50 @ 10mA,2V

电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA

工作温度150°C(TJ)

安装类型表面贴装

封装/外壳SOT-343F

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商2SC5509-A
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2SC5509-ANPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER, LOW-NOISE RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO231.72 Kbytes共10页2SC5509-A的PDF下载地址
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2SC5509-ACELRF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343FObsolete
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2SC5509-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)RF TRANSISTOR NPN SOT-343F160 : $1.2375