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2SB1132SQ-Q的供应商/规格参数
2SB1132SQ-Q
/集电极电流Ic:1A 额定功率:500mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:32V
2SB1132SQ-Q
的规格信息
图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型
三极管
晶体管类型
PNP
集电极电流Ic
1A
集射极击穿电压Vce
32V
额定功率
500mW
2SB1132SQ-Q
2SB1132SQ-Q
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深圳市芯幂科技有限公司
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2SB1132SQ-Q
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