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2SB1132R /集电极电流Ic:1A 额定功率:1W 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:32V
2SB1132R的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型三极管

额定功率1W

集电极电流Ic1A

集射极击穿电压Vce32V

晶体管类型PNP

供应商2SB1132R
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2SB1132RSHIKUES(时科)集电极电流Ic:1A 额定功率:1W 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:32V10+:¥0.1979
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