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2SB1132G-R-AB3-R /集电极电流Ic：1A 额定功率：500mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：32V
2SB1132G-R-AB3-R的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型三极管

额定功率500mW

集电极电流Ic1A

集射极击穿电压Vce32V

晶体管类型PNP

供应商2SB1132G-R-AB3-R
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2SB1132G-R-AB3-R集电极电流Ic：1A 额定功率：500mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：32VUTC(友顺)UTC(友顺)的LOGO207.82 Kbytes共5页2SB1132G-R-AB3-R的PDF下载地址无
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