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2SA1873-GRTE85L /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
2SA1873-GRTE85L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:2 PNP(双)配对,共发射极

电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V

功率 - 最大值:200mW

频率 - 跃迁:80MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装:USV

其它名称:2SA1873-GR(TE85L,F2SA1873-GR(TE85L,F)2SA1873-GR(TE85LF)TR2SA1873-GR(TE85LF)TR-ND2SA1873-GRTE85LF2SA1873-GRTE85LTR2SA1873GRTE85LTR2SA1873GRTE85LTR-ND

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