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2N90G-TM3-T /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.2Ω @ 1.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43W 类型:N沟道
2N90G-TM3-T的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)900V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A

栅源极阈值电压5V @ 250uA

漏源导通电阻7.2Ω @ 1.1A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)43W

类型N沟道

供应商2N90G-TM3-T
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2N90G-TM3-TUTC(友顺)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.2Ω @ 1.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43W 类型:N沟道1+:¥1.6236
10+:¥1.1663
30+:¥1.0823
100+:¥0.9983
500+:¥0.9609
1000+:¥0.9425