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2N7635-GA /GeneSiC Semiconductor/分立半导体产品
2N7635-GA的规格信息
2N7635-GA的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:散装

FET 类型:碳化硅,常闭

FET 功能:超级结

漏源极电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc)(165°C)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):415 毫欧 @ 4A

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):324pF @ 35V

功率 - 最大值:7W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-257-3

供应商器件封装:TO-257

其它名称:1242-1146

供应商2N7635-GA
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2N7635-GAGeneSiC Semiconductor1+:¥1732.7601
10+:¥1649.11
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2N7635-GAGeneSiC SemiconductorTRANS SJT 650V 4A TO257Obsolete
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2N7635-GAGeneSic Semiconductor IncTRANS SJT 650V 4A TO-2571 : $237.25
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element14 Asia-Pacific
2N7635-GAGeneSic Semiconductor IncSIC JUNCTION TRANS 650V 7NA TO-257-3
RoHS : Compliant
1 : $1,886.300049
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2N7635-GAGeneSic Semiconductor IncSIC JUNCTION TRANS, 650V, 7NA, TO-257-3
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1 : $357.043
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Mouser 贸泽电子2N7635-GAGeneSiC Semiconductor1+:¥1732.7601
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100+:¥1610.17 元器件资料网-Newark element14的LOGO
Newark element142N7635-GAGeneSic Semiconductor IncSIC JUNCTION TRANSISTOR, 650V, 7NA, TO-257-3; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-; MSL:- ;RoHS Compliant: Yes1 : $195.17999