2N80L-TN3-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6.3Ω @ 1.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):24W(Tc) 类型:N沟道
2N80L-TN3-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻6.3Ω @ 1.2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)24W(Tc)
类型N沟道
2N80L-TN3-R
2N80L-TN3-R的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | 2N80L-TN3-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6.3Ω @ 1.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):24W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.6733 10+:¥1.2485 30+:¥1.1705 100+:¥1.0924
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