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2N7002ZDWG-AL6-R /连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道
2N7002ZDWG-AL6-R的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)300mA

栅源极阈值电压2.5V @ 1mA

漏源导通电阻7.5Ω @ 50mA,5V

最大功率耗散(Ta=25°C)200mW

类型N沟道

供应商2N7002ZDWG-AL6-R
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2N7002ZDWG-AL6-RUTC(友顺)连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道10+:¥0.30018
100+:¥0.22521
300+:¥0.21144
1000+:¥0.19767