制造商:International Rectifier

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:4 A

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Rds On-漏源导通电阻:1.68 Ohms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 20 V

Pd-功率耗散:25 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-39-3

商标:International Rectifier

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:80 ns (Max)

最小工作温度:- 55 C

上升时间:100 ns (Max)

典型关闭延迟时间:100 ns (Max)

典型接通延迟时间:50 ns (Max)