数据列表：2N6796,98U, 6800,02U

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：散装

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：400V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：5.75nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：800mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：18-BQFN 裸露焊盘

供应商器件封装：18-ULCC（9.14x7.49）