包装：3TO-39

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：400 V

最大连续漏极电流：1.25 A

RDS -于：4150@10V mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：15(Max) ns

典型上升时间：20(Max) ns

典型关闭延迟时间：35(Max) ns

典型下降时间：30(Max) ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Through Hole

标准包装：Bulk

连续漏极电流：1.25 A

栅源电压（最大值）：�20 V

功率耗散：15 W

漏源导通电阻：4.15 ohm

工作温度范围：-55C to 150C

包装类型：TO-39

封装：Bulk

引脚数：3

极性：N

类型：Power MOSFET

元件数：1

工作温度分类：Military

漏源导通电压：400 V

弧度硬化：No

删除：Not Compliant