数据列表：2N6764,66,68,70T1

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：散装

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：38A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 38A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：125nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：4W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-204AE

供应商器件封装：TO-3