制造商:Central Semiconductor
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
晶体管极性:NPN
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V
集电极—基极电压 VCBO:140 V
发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
集电极—射极饱和电压:0.5 V
增益带宽产品fT:400 MHz
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 200 C
封装:Bulk
商标:Central Semiconductor
集电极连续电流:1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:15
Pd-功率耗散:500 mW
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:2000
子类别:Transistors