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2N3701 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 140Vcbo 80Vceo 7.0Vebo 1.8A 500mW
2N3701的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V

集电极—基极电压 VCBO:140 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

集电极—射极饱和电压:0.5 V

增益带宽产品fT:400 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:15

Pd-功率耗散:500 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2000

子类别:Transistors

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