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2N3637 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-39-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:175 V

集电极—基极电压 VCBO:175 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:300 mV

最大直流电集电极电流:1 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

直流电流增益 hFE 最大值:150 at 50 mA, 10 VDC

封装:Bulk

商标:Microchip / Microsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min:50 at 50 mA, 10 VDC

Pd-功率耗散:1 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1

子类别:Transistors

供应商2N3637
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13480875861
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2N3637Motorola Mobility LLCDate Code: 81价格未公开
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2N3637LMicrosemi CorporationTRANS GP BJT PNP 140V 1A 3PIN TO-5 - Bulk1,999 : $8.9598
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2N3637UBMicrosemi CorporationPNP TRANSISTOR UB LAW - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film1,999 : $10.3332
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2N3637Solid State Inc价格未公开
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2N3637LMicrochip TechnologyTRANS PNP 175V 1A$8.91000
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Mouser 贸泽电子
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2N3637SPC Multicomp*** CHECK OUT OUR CYBER WEEK DEALS *** BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -175V, TO-39; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-175V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3; MSL:- ;RoHS Compliant: Yes500 : $1.86
1,000 : $1.66
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2N3637LMicrosemi CorporationPNP Transistor TO-5
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2N3637UBMicrosemi CorporationPNP Transistor UB
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