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2N3636 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-39-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:175 V

集电极—基极电压 VCBO:175 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:300 mV

最大直流电集电极电流:1 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

直流电流增益 hFE 最大值:150 at 50 mA, 10 VDC

封装:Foil Bag

商标:Microchip / Microsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min:50 at 50 mA, 10 VDC

Pd-功率耗散:1 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1

子类别:Transistors

供应商2N3636
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