FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):17.5nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1150pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):10.8 毫欧 @ 20A,10V
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs