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TK39N60X,S1F /MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
TK39N60X,S1F的规格信息
TK39N60X,S1F的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:38.8 A

Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:85 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:270 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

高度:20.95 mm

长度:15.94 mm

系列:TK39N60X

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.02 mm

商标:Toshiba

正向跨导 - 最小值:-

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:155 ns

典型接通延迟时间:60 ns

单位重量:38 g

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK39N60X,S1F北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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集好芯城TK39N60X,S1F深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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北京金州智业科技有限公司TK39N60X,S1F(Swww.bjjzzy.com13683302275
13683302275
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TK39N60X,S1F的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
TK39N60X,S1FToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥47.71
10+:¥42.93
25+:¥39.1101
100+:¥35.3
250+:¥32.4299
500+:¥29.57
1000+:¥25.7499
2500+:¥24.8
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Mouser 贸泽电子
TK39N60X,S1FToshibaMOSFET DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)1:¥50.4093
10:¥45.4147
25:¥41.3354
100:¥37.3465
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Mouser 贸泽电子
TK39N60X,S1FToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥47.71
10+:¥42.93
25+:¥39.1101
100+:¥35.3
250+:¥32.4299
500+:¥29.57
1000+:¥25.7499
2500+:¥24.81+:¥38.02
10+:¥34.21
25+:¥31.14
100+:¥28.2401
250+:¥28.2401
500+:¥28.2401
1000+:¥25.93
2500+:¥25.68
5000+:¥24.82