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TK39N60W5,S1VF /MOSFET Power MOSFET N-Channel
TK39N60W5,S1VF的规格信息
TK39N60W5,S1VF的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:38.8 A

Rds On-漏源导通电阻:62 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:135 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:270 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

封装:Tube

高度:20.95 mm

长度:15.94 mm

系列:TK39N60W5

宽度:5.02 mm

商标:Toshiba

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:120 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:200 ns

典型接通延迟时间:180 ns

单位重量:38 g

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晋城市城区超汕电子元器件商行TK39N60W5,S1VF(S山西省晋城市城区东街街道红星西街 526吕红科救大厦5楼502室57313534054557
13534054557		陆先生Email:961288892@qq.com询价
北京芯时代电子科技发展有限公司TK39N60W5,S1VF北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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集好芯城TK39N60W5,S1VF深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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深圳市辉华拓展电子有限公司TK39N60W5,S1VF深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城TK39N60W5,S1VF深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83285882
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深圳创芯佳业科技有限公司TK39N60W5,S1VF深圳市福田区华强电子世界23C120室0755-83267774
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芯莱德电子（香港）有限公司TK39N60W5,S1VF(S深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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17673093037		刘新Email:308007118@qq.com询价
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深圳振宏微科技有限公司TK39N60W5,S1VF振兴西路星火工场（305栋)4c020755-83791997
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深圳市中飞凌科技有限公司TK39N60W5,S1VF深圳市福田区华康大厦1栋62315307553891
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深圳市赛美科科技有限公司TK39N60W5,S1VF广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司TK39N60W5,S1VF(S深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋401室0755-82731802
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司TK39N60W5,S1VF深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市雄创芯业电子科技有限公司TK39N60W5,S1VF深圳市龙岗区吉星花园7栋306
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深圳市毅创腾电子科技有限公司TK39N60W5,S1VF深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室0755-83616256 / 83210909
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深圳市星宇佳科技有限公司TK39N60W5,S1VF(S深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市科思奇电子科技有限公司TK39N60W5,S1VF(S上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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TK39N60W5,S1VFMOSFET Power MOSFET N-ChannelToshibaToshiba的LOGO246.56 Kbytes共10页TK39N60W5,S1VF的PDF下载地址无
TK39N60W5,S1VFMOSFET N-CH 600V 38.8A T0247Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO245.10 Kbytes共10页TK39N60W5,S1VF的PDF下载地址无
TK39N60W5,S1VF(S连续漏极电流（Id）（25°C 时）：38.8A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 1.9mA 漏源导通电阻：74mΩ @ 19.4A，10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：270W（Tc） 类型：N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO245.90 Kbytes共10页TK39N60W5,S1VF(S的PDF下载地址无
TK39N60W5,S1VF的全球分销商及价格
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Mouser 贸泽电子		TK39N60W5,S1VFToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel1:¥71.6872
10:¥64.5456
25:¥58.7826
50:¥57.3249
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立创商城		TK39N60W5,S1VF(STOSHIBA(东芝)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：38.8A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 1.9mA 漏源导通电阻：74mΩ @ 19.4A，10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：270W（Tc） 类型：N沟道1+:￥20.63
10+:￥17.96
30+:￥17.47
100+:￥16.98
500+:￥16.76
1000+:￥16.49
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