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TK12Q60W,S1VQ /MOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF
TK12Q60W,S1VQ的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:11.5 A

Rds On-漏源导通电阻:265 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:100 W

配置:Single

商标名:DTMOSIV

高度:6.1 mm

长度:6.65 mm

系列:TK12Q60W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:2.3 mm

商标:Toshiba

下降时间:5.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:23 ns

工厂包装数量:75

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:85 ns

典型接通延迟时间:45 ns

单位重量:4 g

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK12Q60W,S1VQ北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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集好芯城TK12Q60W,S1VQ(S深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83285882
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TK12Q60W,S1VQ的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
TK12Q60W,S1VQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF1+:¥21.97
25+:¥17.7299
100+:¥15.96
250+:¥14.18
500+:¥12.41
1000+:¥10.28
2500+:¥9.57
5000+:¥9.22
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Digi-Key 得捷电子
TK12Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 600V 11.5A IPAK$1.65000
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Mouser 贸泽电子
TK12Q60W,S1VQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF价格未公开
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Mouser 贸泽电子
TK12Q60W,S1VQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF1+:¥21.97
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500+:¥12.41
1000+:¥10.28
2500+:¥9.57
5000+:¥9.2275+:¥14.08
150+:¥11.3501
525+:¥11.26
1050+:¥10.5201
2550+:¥9.66
5025+:¥9.49
10050+:¥9.1999
25050+:¥9.25