TK11A65W,S5X(M
/Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK11A65W,S5X(M, 11.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
TK11A65W,S5X(M的规格信息
通道类型:N
最大连续漏极电流:11.1 A
最大漏源电压:650 V
最大漏源电阻值:390 m0hms
最大栅阈值电压:3.5V
最大栅源电压:-30 V、+30 V
封装类型:TO-220SIS
安装类型:通孔
引脚数目:3
晶体管配置:单
通道模式:增强
类别:功率 MOSFET
最大功率耗散:35 W
最高工作温度:+150 °C
每片芯片元件数目:1
长度:10mm
高度:15mm
系列:TK
宽度:4.5mm
晶体管材料:Si
典型栅极电荷@Vgs:25 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds:890 pF @ 300 V
典型关断延迟时间:85 ns
典型接通延迟时间:45 ns
尺寸:10 x 4.5 x 15mm
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
TK11A65W,S5X(M | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.1A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 450uA 漏源导通电阻:390mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道 | TOSHIBA(东芝) | | 237.51 Kbytes | 共10页 | | 无 |
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立创商城 | TK11A65W,S5X(M | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.1A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 450uA 漏源导通电阻:390mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥5.81 10+:¥4.38 30+:¥4.12 100+:¥3.85 500+:¥3.74 1000+:¥3.68
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