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TK11A65W,S5X(M /Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK11A65W,S5X(M, 11.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
TK11A65W,S5X(M的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:11.1 A

最大漏源电压:650 V

最大漏源电阻值:390 m0hms

最大栅阈值电压:3.5V

最大栅源电压:-30 V、+30 V

封装类型:TO-220SIS

安装类型:通孔

引脚数目:3

晶体管配置:

通道模式:增强

类别:功率 MOSFET

最大功率耗散:35 W

最高工作温度:+150 °C

每片芯片元件数目:1

长度:10mm

高度:15mm

系列:TK

宽度:4.5mm

晶体管材料:Si

典型栅极电荷@Vgs:25 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds:890 pF @ 300 V

典型关断延迟时间:85 ns

典型接通延迟时间:45 ns

尺寸:10 x 4.5 x 15mm

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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TK11A65W,S5X(M连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.1A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 450uA 漏源导通电阻:390mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO237.51 Kbytes共10页TK11A65W,S5X(M的PDF下载地址
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TK11A65W,S5X(MTOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.1A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 450uA 漏源导通电阻:390mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道1+:¥5.81
10+:¥4.38
30+:¥4.12
100+:¥3.85
500+:¥3.74
1000+:¥3.68