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TK12A60D(STA4,Q,M) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
TK12A60D(STA4,Q,M)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1800pF @ 25V

功率 - 最大值:45W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 整包

供应商器件封装:TO-220SIS

其它名称:TK12A60D(STA4QM)TK12A60DSTA4QM

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK12A60D(STA4,Q,M)北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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深圳市辉华拓展电子有限公司TK12A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城TK12A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83285882
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集好芯城TK12A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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深圳市天卓伟业电子有限公司TK12A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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TK12A60D(STA4,Q,M)MOSFET N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55ToshibaToshiba的LOGO182.97 Kbytes共6页TK12A60D(STA4,Q,M)的PDF下载地址
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TK12A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品2500+:¥9.582500+:¥9.66
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TK12A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS$1.46400
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TK12A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.551:¥23.278
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500:¥13.1419
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Mouser 贸泽电子
TK12A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品2500+:¥9.582500+:¥9.66
5000+:¥9.49
10000+:¥9.28
25000+:¥9.25