TK11A65D(STA4,X,M)
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：700mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道
TK11A65D(STA4,X,M)的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）11A
栅源极阈值电压4V @ 1mA
漏源导通电阻700mΩ @ 5.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）45W(Tc)
类型N沟道
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| TK11A65D(STA4,X,M) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：700mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道 | TOSHIBA(东芝) |  | 328.81 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
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100+:￥3.84
500+:￥3.72
1000+:￥3.67
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