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J112_D26Z /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
J112_D26Z的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing

标准包装:2,000

类别:分立半导体产品

家庭:JFET(结点场效应

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:N 沟道

电压 - 击穿(V(BR)GSS):35V

漏源极电压(Vdss):-

不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):5mA @ 15V

漏极电流(Id) - 最大值:-

不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1V @ 1µA

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

电阻 - RDS(开):50 欧姆

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

供应商器件封装:TO-92-3

功率 - 最大值:625mW

其它名称:J112_D26Z-NDJ112_D26ZTRJ112D26Z

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J112_D26ZFairchild SemiconductorJFET(结点场效应 - 分立半导体产品 半导体 JFET N-Channel Switch2000+:¥0.6
6000+:¥0.57
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J112-D26ZON SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI$0.09000
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J112-D26ZON SemiconductorJFET N-CH 35V 625MW TO92-3$0.41000
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J112_D26ZFairchild SemiconductorJFET(结点场效应 - 分立半导体产品 半导体 JFET N-Channel Switch2000+:¥0.6
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Mouser 贸泽电子
J112_D26ZFairchild SemiconductorJFET(结点场效应 - 分立半导体产品 半导体 JFET N-Channel Switch2000+:¥0.6
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Mouser 贸泽电子
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