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J110,126 /NXP Semiconductors/分立半导体产品
J110,126的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：10,000

类别：分立半导体产品

家庭：JFET（结点场效应

系列：-

包装：带盒（TB）

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：25V

漏源极电压（Vdss）：25V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：10mA @ 5V

漏极电流（Id） - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：4V @ 1µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：30pF @ 0V

电阻 - RDS（开）：18 欧姆

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装：TO-92-3

功率 - 最大值：400mW

其它名称：934003870126

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深圳市言叶科技有限公司J110,126深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路101号华发大院4栋206-217673093037
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