晶体管极性：N-Channel

漏源电压 VDS：40 V

闸/源击穿电压：- 40 V

配置：Single

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：SOT-54

封装/外壳：Ammo

零件号别名：AMO J112

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：40V

漏源电压（Vdss）：40V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：5mA @ 15V

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1V @ 1µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：6pF @ 10V（VGS）

电阻 - RDS（开）：50 Ohms

功率 - 最大值：400mW

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）

供应商器件封装：TO-92-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs